在很多展会上，黑龙我们都会看到超薄电视的展示和亮相，但是少有能看到真正量产销售的超薄电视。
（b）151个MoS2FET的传输特性，江哈距离（a）中标记区域的沟道长度为50μm。尔滨（e）（d）中两个域的倍频强度和理论拟合的极坐标图（°）。
对比使用六方BN或Au作为外延基底的潜在竞争技术，主动作为注重该方法使用了广泛应用的低成本C面蓝宝石，主动作为注重而这种蓝宝石可以很容易的扩展到8英寸，并且与工业技术具有良好的兼容性。然而，园区外延关系表明蓝宝石的112¯0取向垂直于三角形TMDCs畴的锯齿（ZZ）边缘，使的两个反平行畴相等，并阻止单晶生长。作者设计了朝向蓝宝石A轴（C/A）的错切取向，电网其中A轴垂直于标准基板。
此外，规划在可扩展且与工业兼容的基底上生长晶圆级TMDCs单晶尚未得到很好的证明。实际上，黑龙C面（0001）蓝宝石晶片是从加工平面和晶体学平面之间具有错切角（α）的铸锭上切割而成，黑龙该角度可用两个垂直分量αM和αA表示，而αM和αA分别表示（0001）平面和基底表面之间沿M轴（101¯0）和A轴（112¯0）的角度。
【图文解读】图一、江哈蓝宝石（0001）基底与外延生长的关系（a,d）C/M和C/A蓝宝石（0001）晶片上的台阶取向以及相应的外延MoS2畴对齐。
欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，尔滨投稿邮箱：[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu.。尽管N-杂环卡宾在三十年前就已经被分离出来并进行了表征，主动作为注重但它作为多功能、模块化和强配位的部分仍然引起了科学家们的兴趣。
园区（c）选定的主族加合物作为配体。电网（b）NHC的主要结构特征。
【图文导读】图一、规划N-杂环卡宾的合成和应用时间表图二、规划近期N-杂环卡宾的主要进展，结构特征（a）过去七年中涉及N-杂环卡宾（NHC）的主要进展概述。【成果简介】近日，黑龙德国明斯特大学FrankGlorius教授和柏林自由大学MatthewN.Hopkinson教授联合综述了N-杂环卡宾的历史、黑龙性质及其在过渡金属催化、表面化学、主族化学和有机催化中的应用。